Vishay TrenchFET® Gen IV SiR106ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 200-6863
Herst. Teile-Nr.:: SiR106ADP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen IV SiR106ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:: 200-6863
Herst. Teile-Nr.:: SiR106ADP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Document- SiR106ADP-T1-RE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	65,8 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	TrenchFET® Gen IV
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,008 Ω, 0,009 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay TrenchFET® Gen IV SiR106ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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