Vishay TrenchFET® Gen IV SiR106ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 200-6865
Herst. Teile-Nr.:: SiR106ADP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET® Gen IV SiR106ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

Voraussichtlich ab 05.12.2024 verfügbar.

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Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

1,172 €

(ohne MwSt.)

1,395 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 25	1,172 €	29,30 €
50 - 100	0,996 €	24,90 €
125 - 225	0,879 €	21,975 €
250 - 600	0,762 €	19,05 €
625 +	0,702 €	17,55 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 200-6865
Herst. Teile-Nr.:: SiR106ADP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Document- SiR106ADP-T1-RE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	65,8 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	TrenchFET® Gen IV
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,008 Ω, 0,009 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay TrenchFET® Gen IV SiR106ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65,8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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