Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 108 A 65.7 W, 8-Pin SISS50DN-T1-GE3 PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
200-6846
Herst. Teile-Nr.:
SISS50DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

108A

Drain-Source-Spannung Vds max.

45V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

3.3mm

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SISS50DN-T1-GE3 ist ein N-Kanal-45-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse

Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten

100 % Rg- und UIS-getestet

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