Vishay SQ2337CES P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / -2.2 A 2 W, 3-Pin SOT-23-3

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

0,32 €

(ohne MwSt.)

0,38 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 240,32 €
25 - 990,22 €
100 +0,12 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
735-120
Herst. Teile-Nr.:
SQ2337CES-T1_BE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

P-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-2.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SQ2337CES

Gehäusegröße

SOT-23-3

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.29Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5mm

Breite

6.2mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen, indem er elektrische Energie effektiv verwaltet und eine robuste Leistung in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet.

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C für vielfältige Umgebungsbedingungen

Maximale Verlustleistung von 3 W unterstützt anspruchsvolle elektrische Lasten

Einschaltwiderstand von nur 0,290 Ω bei -10 V für optimale Leistungsaufnahme

Verwandte Links