Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 1,75 A 2,5 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 812-3123
Herst. Teile-Nr.:: SI2337DS-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 1,75 A 2,5 W, 3-Pin SOT-23

Preis pro Stück (In einer VPE à 20)**

0,745 €

(ohne MwSt.)

0,887 €

(inkl. MwSt.)

60 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Lieferverfügbarkeit überprüfen

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Packung**
20 +	0,745 €	14,90 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 812-3123
Herst. Teile-Nr.:: SI2337DS-T1-GE3
Marke:: Vishay

Si2337DS, P-Channel 80V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	1,75 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	303 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	11 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	1.4mm
Länge	3.04mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1.02mm
Betriebstemperatur min.	-50 °C

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 1,75 A 2,5 W, 3-Pin SOT-23

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

Verwandte Links