Vishay TrenchFET SI2347DS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A, 3-Pin TO-236
- RS Best.-Nr.:
- 180-7273
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2347DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
3000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,119 €
(ohne MwSt.)
0,142 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 3000 + | 0,119 € | 357,00 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 180-7273
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2347DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Vishay MOSFET
Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 42 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 30 V. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 5 A und eine maximale Verlustleistung von 1,7 W. MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• DC/DC-Wandler
• Lastschalter
• Notebook-Adapterschalter
• Strommanagement
• Lastschalter
• Notebook-Adapterschalter
• Strommanagement
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Serie | TrenchFET |
| Gehäusegröße | TO-236 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,042 O |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Verwandte Produkte
- Vishay TrenchFET SI4447ADY-T1-GE3 P-Kanal2 A, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET SI4425DDY-T1-GE3 P-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET SI4459ADY-T1-GE3 P-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET SQ2309ES-T1_GE3 P-Kanal7 A, 3-Pin TO-236
- Vishay TrenchFET SI4425DDY-T1-GE3 P-Kanal7 A, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET SI4825DDY-T1-GE3 P-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET SI4497DY-T1-GE3 P-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay SI2329DS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 6 A SOT-23-3 (TO-236)