Vishay TrenchFET SI2369DS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,6 A, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 180-7798
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2369DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Vishay MOSFET
Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 29 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 30 V. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 7,6 A und eine maximale Verlustleistung von 2,5 W. MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• DC/DC-Wandler
• für mobiles Computing
• Lastschalter
• Notebook-Adapterschalter
• für mobiles Computing
• Lastschalter
• Notebook-Adapterschalter
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Serie | TrenchFET |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,04 O |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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