Vishay Siliconix TrenchFET Si2319DDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 3,6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 178-3663
- Herst. Teile-Nr.:
- Si2319DDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
TrenchFET® Gen III P-Kanal-Leistungs-MOSFET
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 1,7 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12,5 nC bei 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 3.04mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.4mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Höhe | 1.02mm |
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