Vishay TrenchFET SI2300DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,6 A, 3-Pin SOT-23

Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 68 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 12 V und eine Drain-Source-Spannung von 30 V. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 2,5 V bzw. 4,5 V. Er hat einen Dauerstrom von 3,6 A und eine maximale Verlustleistung von 1,7 W. MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

• DC/DC-Wandler für tragbare Geräte
• Lastschalter

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft