Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 2.3 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
710-3241
Herst. Teile-Nr.:
SI2303CDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.33Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Höhe

1.02mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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