Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 2.3 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
146-1425
Herst. Teile-Nr.:
SI2303CDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.33Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.3W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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