Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.6 A 0.71 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 735-213
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2302HDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.075Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.71W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.075Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.71W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
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