Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.1 A 1.6 W, 3-Pin SI2392ADS-T1-GE3 SOT-23

RS Best.-Nr.:: 180-7811
Herst. Teile-Nr.:: SI2392ADS-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.1 A 1.6 W, 3-Pin SI2392ADS-T1-GE3 SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 180-7811
Herst. Teile-Nr.:: SI2392ADS-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	189mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	2.9nC
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.6W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.12mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	2.64 mm
	Länge	3.04mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 189mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.9nC
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.6W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.12mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 2.64 mm
	Länge 3.04mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einem Drain-Source-Widerstand von 126 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Gate-Quellspannung von 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 100 V. Der MOSFET hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 3,1 A und eine maximale Verlustleistung von 2,5 W. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• Aufwärtswandler

• DC/DC-Wandler

• LED-Hinterleuchtung in LCD-Fernsehern

• Lastschalter

• Leistungsmanagement für mobiles Computing

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft