Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 3 A 2.5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 228-2814
- Herst. Teile-Nr.:
- Si2387DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- Si2387DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay TrenchFET Gen IV P-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für Lastschalter, Stromkreisschutz und Motorsteuerung verwendet.
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