Vishay TrenchFET Si2387DS-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 3 A, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 228-2814
- Herst. Teile-Nr.:
- Si2387DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- Si2387DS-T1-GE3
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay TrenchFET Gen IV P-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für Lastschalter, Stromkreisschutz und Motorsteuerung verwendet.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
| Serie | TrenchFET |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 11 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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