Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 5.9 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
165-6934
Herst. Teile-Nr.:
SI2365EDS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0675Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.8nC

Betriebstemperatur min.

-50°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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