Vishay SISS126DN N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 54.7 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:
735-130
Herst. Teile-Nr.:
SISS126DN-T1-UE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

54.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Serie

SISS126DN

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00825Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Breite

3.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für optimale Effizienz in Leistungsmanagementanwendungen entwickelt und bietet eine hohe Leistung, während er innerhalb der vorgegebenen Grenzen arbeitet.

Arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V für zuverlässige Leistung

Verfügt über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand, um den Leistungsverlust zu minimieren

Bietet einen hohen kontinuierlichen Ablassstrom von bis zu 54,7 A

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