Vishay SiD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 153 A 150 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 735-134
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR5802EP
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 153A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0029Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Durchlassspannung Vf | 80V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 6mm | |
| Länge | 7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 153A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0029Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Durchlassspannung Vf 80V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 6mm | ||
Länge 7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 80 V Drain-Source-Spannung ausgelegt, um eine hocheffiziente Stromumwandlung in KI-Server- und Rechenzentrenanwendungen zu ermöglichen. Er verfügt über einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 2,9 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung, um Leitungsverluste in synchronen Buck-Topologien zu reduzieren.
153 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TC=25 °C
28 nC typische Gesamt-Gate-Ladung für schnelles Schalten
Erweiterter Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C
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