Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 80.3 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 228-2896
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR186LDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SiR186LDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 60 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 80.3 A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.0044 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Serie TrenchFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 80.3 A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.0044 Ω | ||
The Vishay TrenchFET N-channel is 60 V MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
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