Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 158 A 83.3 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
735-216
Herst. Teile-Nr.:
SIR5404DP-T1-UE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

158A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0026Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

83.3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Länge

6.25mm

Breite

5.26mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für hocheffiziente Leistungsumwandlung und Steuerung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt. Er gewährleistet eine robuste Leistung mit umfassenden Tests bei gleichzeitiger Einhaltung von Umweltstandards. Seine Vielseitigkeit macht ihn ideal für Anwendungen, die eine zuverlässige Gleichrichtung, kompakte DC/DC-Lösungen und eine präzise Motorsteuerung erfordern.

Bietet 100 % Rg- und UIS-Tests für bewährte Zuverlässigkeit

Gewährleistet RoHS-Konformität für Umweltsicherheit

Halogenfreie Konstruktion für umweltfreundliches Design

Unterstützt synchrone Gleichrichtung für effiziente Stromumwandlung

Ermöglicht die Steuerung des Motorantriebs mit zuverlässiger Schaltleistung

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