Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 201.5 A 92.5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
735-264
Herst. Teile-Nr.:
SIR5402DP-T1-UE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

201.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0017Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

92.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

82nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.25mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für hocheffiziente Leistungsumwandlung und Steuerung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt. Er gewährleistet eine robuste Leistung mit umfassenden Tests bei gleichzeitiger Einhaltung von Umweltstandards. Seine Vielseitigkeit macht ihn ideal für Anwendungen, die eine zuverlässige Gleichrichtung, kompakte DC/DC-Lösungen und eine präzise Motorsteuerung erfordern.

Bietet 100 % Rg- und UIS-Tests für bewährte Zuverlässigkeit

Gewährleistet RoHS-Konformität für Umweltsicherheit

Halogenfreie Konstruktion für umweltfreundliches Design

Unterstützt synchrone Gleichrichtung für effiziente Stromumwandlung

Ermöglicht die Steuerung des Motorantriebs mit zuverlässiger Schaltleistung

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