Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 330 A 205 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 904-978
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
3,11 €
(ohne MwSt.)
3,70 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. November 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,11 € |
| 10 - 24 | 2,02 € |
| 25 - 99 | 1,20 € |
| 100 - 499 | 1,16 € |
| 500 + | 1,14 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 904-978
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 330A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.000995Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 205W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Länge | 6mm | |
| Breite | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 330A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.000995Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 205W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Länge 6mm | ||
Breite 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für hocheffiziente Vorgänge entwickelt, insbesondere zur Bewältigung von Leistungsverlusten im Zusammenhang mit der Leitfähigkeit in elektronischen Anwendungen. Diese Komponente zeichnet sich durch ihre robuste Konstruktion und Langlebigkeit unter verschiedenen Bedingungen aus.
Die TrenchFET Gen IV-Technologie gewährleistet eine hervorragende Leistung bei minimalem Leistungsverlust
Ausgelegt für eine Drain-Source-Spannung von 60 V, sorgt für Stabilität in Hochspannungsumgebungen
Niedriger On-State-Widerstand maximiert die Effizienz in Power-Management-Anwendungen
Entwickelt mit verbesserter Verlustleistung für weniger thermische Probleme
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 6-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET P-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay Zweifach-N-Kanal-Mosfet TrenchFET N-Kanal 2 8-Pin PowerPAK 1212