Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 330 A 205 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 904-978
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 330A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.000995Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 205W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6mm | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 330A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.000995Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 205W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6mm | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für hocheffiziente Vorgänge entwickelt, insbesondere zur Bewältigung von Leistungsverlusten im Zusammenhang mit der Leitfähigkeit in elektronischen Anwendungen. Diese Komponente zeichnet sich durch ihre robuste Konstruktion und Langlebigkeit unter verschiedenen Bedingungen aus.
Die TrenchFET Gen IV-Technologie gewährleistet eine hervorragende Leistung bei minimalem Leistungsverlust
Ausgelegt für eine Drain-Source-Spannung von 60 V, sorgt für Stabilität in Hochspannungsumgebungen
Niedriger On-State-Widerstand maximiert die Effizienz in Power-Management-Anwendungen
Entwickelt mit verbesserter Verlustleistung für weniger thermische Probleme
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