Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 45 V / 208 A 104 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 904-976
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR608DP-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 208A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 45V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0012Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 208A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 45V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0012Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde entwickelt, um effizientes Schalten und eine hohe Leistungsdichte zu gewährleisten. Mit seinem robusten Leistungsprofil zeichnet er sich durch einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand aus und gewährleistet einen optimalen Betrieb in DC/DC-Wandleranwendungen.
Das TrenchFET Gen IV-Design sorgt für ausgezeichnete Effizienz
45 V Drain-Source-Durchbruchspannung für zuverlässige Leistung
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand mit einem Nennwiderstand von 0,00120 Ohm bei 10 V
Robuster kontinuierlicher Ablassstrom von 208 A bei 25 °C
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