Vishay SIR680LDP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 130 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
736-348
Herst. Teile-Nr.:
SIR680LDP-T1-BE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SIR680LDP

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0028Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.15mm

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für hocheffizientes Strommanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Er arbeitet effizient bei 80 V und zeichnet sich durch synchrone Gleichrichtung und Motorantriebsschaltvorgänge aus.

Verfügt über eine TrenchFET Gen IV-Technologie für verbesserte Energieeffizienz

Zeigt einen sehr niedrigen RDS(on) von 0,0028 Ω bei 10 V an, wodurch minimale Leitungsverluste gewährleistet sind

Ausgelegt für einen kontinuierlichen Ablassstrom von 130 A, wodurch es für anspruchsvolle Anwendungen geeignet ist

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