Vishay SiR680LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 130 A 104 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

12,92 €

(ohne MwSt.)

15,375 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 5.720 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 452,584 €12,92 €
50 - 1202,326 €11,63 €
125 - 2451,86 €9,30 €
250 - 4951,524 €7,62 €
500 +1,294 €6,47 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
210-5003
Herst. Teile-Nr.:
SIR680LDP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SiR680LDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.33mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

90nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.26 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.25mm

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8-Gehäuse mit 130 A Ableitstrom.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links