Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 225-9931
Herst. Teile-Nr.:: SIR5802DP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Herst. Teile-Nr.:: SIR5802DP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Datasheet - SIR5802DP-T1-RE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	137,5 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Serie	N-Channel 80 V
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,004 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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