Vishay N-Channel 80 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 137.5 A 104 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

2.517,00 €

(ohne MwSt.)

2.994,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3.000 Einheit(en) mit Versand ab 25. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,839 €2.517,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
225-9931
Herst. Teile-Nr.:
SIR5802DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

137.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

N-Channel 80 V

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.25mm

Höhe

5.26mm

Breite

1.12 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links

Recently viewed