Vishay N-Channel 80 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 137.5 A 104 W, 8-Pin SIR5802DP-T1-RE3 SO-8

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RS Best.-Nr.:
225-9932
Herst. Teile-Nr.:
SIR5802DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

137.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

N-Channel 80 V

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.12 mm

Länge

6.25mm

Höhe

5.26mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

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