Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 225-9932
Herst. Teile-Nr.:: SIR5802DP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	1,67 €	8,35 €
50 - 120	1,504 €	7,52 €
125 - 245	1,336 €	6,68 €
250 - 495	1,252 €	6,26 €
500 +	1,17 €	5,85 €

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RS Best.-Nr.:: 225-9932
Herst. Teile-Nr.:: SIR5802DP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Datasheet - SIR5802DP-T1-RE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	137,5 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Serie	N-Channel 80 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,004 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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