Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 9 A 17.9 W, 6-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
904-973
Herst. Teile-Nr.:
SIA4620DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.023Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

17.9W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.05mm

Normen/Zulassungen

ROHS

Länge

2.05mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt. Es eignet sich aufgrund seiner Hochleistungsmetriken und seiner kompakten Verpackung hervorragend für verschiedene Anwendungen und eignet sich daher ideal für moderne elektronische Designs.

Arbeitet mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 60 V

Geringer Einschaltwiderstand für erhöhte Effizienz

Bietet einen kontinuierlichen Ablassstrom von bis zu 8,6 A bei 25 °C

Umfassende Tests für Zuverlässigkeit und Leistung

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