Vishay TrenchFET Si7252ADP-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 13,1 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT
- RS Best.-Nr.:
- 228-2826
- Herst. Teile-Nr.:
- Si7252ADP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,659 € | 1.977,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 228-2826
- Herst. Teile-Nr.:
- Si7252ADP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay TrenchFET N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für DC/DC-Primär-Seitenschalter, Telekommunikation/Server, Motorsteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.
PWM-optimiert
100 % Rg- und UIS-geprüft
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 13,1 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Serie | TrenchFET |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8PT |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0186 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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