Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 373 A 333 W, 8-Pin SO-8SW

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RS Best.-Nr.:
735-219
Herst. Teile-Nr.:
SIRS4600EPW-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

373A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8SW

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0013Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

108nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

0.95mm

Breite

5.1mm

Länge

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

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