Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 70.6 A 71.4 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

11,16 €

(ohne MwSt.)

13,28 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 5.560 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 901,116 €11,16 €
100 - 2401,05 €10,50 €
250 - 4900,949 €9,49 €
500 - 9900,893 €8,93 €
1000 +0,838 €8,38 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2914
Herst. Teile-Nr.:
SiR880BDP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

71.4W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 80-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links