Vishay SF Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 313 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
735-263
Herst. Teile-Nr.:
SIHP110N65SF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SF Series

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.115Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

83nC

Maximale Verlustleistung Pd

313W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für die effiziente Energiemanagement in fortschrittlichen elektronischen Systemen entwickelt. Mit seiner geringen effektiven Kapazität minimiert er Schalt- und Leitungsverluste und sorgt so für verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit. Seine Avalanche-Energiebewertung und seine umweltfreundliche Konformität machen ihn zu einer robusten und nachhaltigen Wahl für moderne Anwendungen.

Reduziert Schalt- und Leitungsverluste für bessere Leistung

Bietet eine Avalanche-Energie-Bewertung für Langlebigkeit

Gewährleistet einen niedrigen Wert für ein optimiertes Design

Behält die RoHS-Konformität für Umweltstandards aufrecht

Halogenfreie Konstruktion für eine sicherere Nutzung

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