Vishay SIHP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 268-8317
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP085N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.084Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 184W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 184W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der SIHP-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 34 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP085N60EF-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für die Durchsteckmontage in anspruchsvollen Stromkreisen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich daher für Umgebungen, in denen thermische Robustheit erforderlich ist, und bietet eine hohe Dauerstromfähigkeit und Spannungsbelastbarkeit für Umwandlungs- und Schaltaufgaben.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 34 A unterstützt Anwendungen mit hoher Belastung
• Niedriger RDS(on) von 0,084 Ω minimiert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 184 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge
• Die Durchlassspannung von 1.2 V reduziert den Abfall der Gehäuse-Diode-Leitung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 34 A unterstützt Anwendungen mit hoher Belastung
• Niedriger RDS(on) von 0,084 Ω minimiert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 184 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge
• Die Durchlassspannung von 1.2 V reduziert den Abfall der Gehäuse-Diode-Leitung
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Systemen
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für hart schaltende Topologien und Energierückgewinnung verwendet werden
• Geeignet für Labor und Prototyping mit Durchsteckmontage
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Systemen
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für hart schaltende Topologien und Energierückgewinnung verwendet werden
• Geeignet für Labor und Prototyping mit Durchsteckmontage
Welche Befestigungsmethode ist für die Platinenmontage erforderlich?
Er wird in einem TO-220AB-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage und Standard-Kühlkörperoptionen vorgesehen ist.
Welche Gate-Treiber-Spannungsgrenzwerte sollte ich beachten?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 30 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise innerhalb dieser Grenze bleiben müssen, um Schäden zu vermeiden.
Wie bewältigt es extreme Temperaturen während des Betriebs?
Das Gerät ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz bei weiten Umgebungs- und erhöhten Anschlusstemperaturen.
Welche Polarität und welche Art von Modus bietet der Kanal für die Schaltungsentwicklung?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät, das eine positive Gate-Vorspannung in Bezug auf die Quelle für die Leitung erfordert.
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