Vishay SIHB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

229,55 €

(ohne MwSt.)

273,15 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1.000 Einheit(en) mit Versand ab 07. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 504,591 €229,55 €
100 - 4503,755 €187,75 €
500 - 9503,195 €159,75 €
1000 +2,874 €143,70 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
268-8291
Herst. Teile-Nr.:
SIHB085N60EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SIHB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.084Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

184W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie EF von Vishay mit schneller Gehäuse-Diode und Technologie der Serie E der 4. Generation. Es reduziert Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Leistungsfaktorkorrektur eingesetzt.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

Verwandte Links