Vishay SIHB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 184 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 268-8291
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB085N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIHB085N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SIHB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.084Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 184W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SIHB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 184W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SIHB-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 34 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB085N60EF-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleitergerät, das für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungstemperaturbereich und eignet sich für Schaltkreise, die einen hohen Ableitstrom und eine hohe Ableit-Quellenspannung erfordern. Die Komponente wird in einem TO-263-Gehäuse für das Wärmemanagement auf Leiterplattenmontage-Leistungsstufen geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 34 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 0.084 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Gesamt-Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht ein vorhersehbares Gate-Drive-Design
• Die Verlustleistung von 184 W unterstützt Layouts mit hoher Leistungsdichte
• Vgs 30-V-Grenzwert ermöglicht robuste Gate-Spannungsbereiche
• 34 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 0.084 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Gesamt-Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht ein vorhersehbares Gate-Drive-Design
• Die Verlustleistung von 184 W unterstützt Layouts mit hoher Leistungsdichte
• Vgs 30-V-Grenzwert ermöglicht robuste Gate-Spannungsbereiche
Anwendungen
• Ideal für Leistungswandler in industriellen Stromversorgungen
• Geeignet für Hochspannungswechselrichter-Schaltstufen
• Wird für Front-End-Schalttransistoren mit Motorantrieb verwendet
• Kann für die Stromschienenregelung in der Telekommunikation verwendet werden
• Empfohlen für Primärschalter mit Schaltnetzteil
• Geeignet für Hochspannungswechselrichter-Schaltstufen
• Wird für Front-End-Schalttransistoren mit Motorantrieb verwendet
• Kann für die Stromschienenregelung in der Telekommunikation verwendet werden
• Empfohlen für Primärschalter mit Schaltnetzteil
Welche Vorteile des Gehäuses unterstützen das thermische Leiterplatten-Design?
Das oberflächenmontierbare TO-263-Format bietet ein großes Wärmeleitpad und einen Metallflachsteckerbereich, um die Wärmeübertragung auf die Leiterplatte und externe Kühlkörperanordnungen zu verbessern.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Auswahl der Antriebsschaltkreise aus?
Die Gate-Ladung von 63 nC bestimmt den erforderlichen Treiberstrom und die Schaltverluste
müssen Gate-Treiber ausreichend Strom für die gewünschten Übergangsgeschwindigkeiten liefern und ableiten, um Effizienz und EMI auszugleichen.
Welchen Temperaturbereich hält das Gerät im Betrieb aus?
Das Gerät ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C Anschluss- oder Umgebungsbedingungen, wie sie durch die Systemkühlung definiert sind, was den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen ermöglicht.
Gibt es gesetzliche Beschränkungen für die Verwendung?
Die Komponente entspricht den RoHS-Richtlinien, was bedeutet, dass sie die Anforderungen an eingeschränkte Stoffe für elektronische Baugruppen erfüllt.