Vishay SIHB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 34 A 184 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
279-9903
Herst. Teile-Nr.:
SIHB150N60E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SIHB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.084Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

184W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Kennzahl (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität

Avalanche-Energie-Nennwert

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

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