Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 28 A 250 W, 3-Pin SiHB28N60EF-GE3 TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

12,32 €

(ohne MwSt.)

14,66 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 642 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 186,16 €12,32 €
20 - 485,79 €11,58 €
50 - 985,545 €11,09 €
100 - 1984,93 €9,86 €
200 +4,615 €9,23 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
903-4504
Herst. Teile-Nr.:
SiHB28N60EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

28A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

EF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

123mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor


Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom

Niedriger Gütefaktor (FOM)

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links