Vishay EF Series N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 903-4484
Herst. Teile-Nr.:: SiHG33N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF Series N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247AC

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Herst. Teile-Nr.:: SiHG33N60EF-GE3
Marke:: Vishay

SiHG33N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	33 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-247AC
Serie	EF Series
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	98 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	278 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	15.87mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5.31mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	103 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	20.82mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V

Vishay EF Series N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247AC

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N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor

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