Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin SiHG33N60EF-GE3 TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

5,10 €

(ohne MwSt.)

6,07 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 484 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 95,10 €
10 - 244,80 €
25 - 494,32 €
50 - 994,07 €
100 +3,83 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
903-4484
Herst. Teile-Nr.:
SiHG33N60EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

EF

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

98mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

103nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.87mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.31 mm

Höhe

20.82mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor


Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom

Niedriger Gütefaktor (FOM)

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links