Vishay EF Series SiHG33N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 903-4484
Herst. Teile-Nr.:: SiHG33N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF Series SiHG33N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247AC

Voraussichtlich ab 05.09.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Im Warenkorb

Preis pro Stück

6,23 €

(ohne MwSt.)

7,41 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 - 9	6,23 €
10 - 24	5,85 €
25 - 49	5,29 €
50 - 99	4,98 €
100 +	4,67 €

RS Best.-Nr.:: 903-4484
Herst. Teile-Nr.:: SiHG33N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor

Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom
Niedriger Gütefaktor (FOM)
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	33 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-247AC
Serie	EF Series
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	98 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	278 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	5.31mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	103 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	15.87mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	20.82mm

RS Best.-Nr.:: 903-4484
Herst. Teile-Nr.:: SiHG33N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF Series SiHG33N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247AC

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor

Technische Daten

N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor

Verwandte Produkte