Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 31 A 278 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-082
Herst. Teile-Nr.:
SIHR120N60EF-T1GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

EF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.125Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

8 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E der 4. Generation von Vishay verfügt über eine schnelle Gehäuse-Diode für verbesserte Schaltleistung. Es bietet eine niedrige Verdienstzahl (FOM), eine reduzierte effektive Kapazität und minimierte Schalt- und Leitungsverluste. In einem PowerPAK 8x8LR-Gehäuse ist es ideal für Server-, Telekommunikations-, Beleuchtungs-, Industrie- und Solarenergieanwendungen.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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