Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 31 A 278 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-082
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHR120N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- SIHR120N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | EF | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.125Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie EF | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.125Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E der 4. Generation von Vishay verfügt über eine schnelle Gehäuse-Diode für verbesserte Schaltleistung. Es bietet eine niedrige Verdienstzahl (FOM), eine reduzierte effektive Kapazität und minimierte Schalt- und Leitungsverluste. In einem PowerPAK 8x8LR-Gehäuse ist es ideal für Server-, Telekommunikations-, Beleuchtungs-, Industrie- und Solarenergieanwendungen.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
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