Vishay SIHK075N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET + Diode 600 V / 33 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 252-0265
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 3,724 € | 7.448,00 € |
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- 252-0265
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- SIHK075N60EF-T1GE3
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Produktdetails
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden.
E-Serien-Technologie der 4. Generation
Niedrige Ron-Qg-Leistungszahl (FOM)
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
Avalanche-Energiebewertung (UIS)
Niedrige Ron-Qg-Leistungszahl (FOM)
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
Avalanche-Energiebewertung (UIS)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 33 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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