Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 42 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 239-8636
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.056Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 236W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.056Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 236W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 42 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK055N60E-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Automobilsteuerungsumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Umgebungsbereich und wird in einem kompakten oberflächenmontierten Gehäuse angeboten, das für Baugruppen mit hoher Dichte geeignet ist und ein Gleichgewicht zwischen Leistungsaufnahme und Wärmekapazität für industrielle und Fahrzeug-Elektroniksysteme bietet.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 42 A Dauerstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 0.056 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 236 W ermöglicht einen dauerhaften Leistungsdurchsatz
• Typische Gate-Ladung von 54 nC minimiert die Schaltenergie
• 30-V-Gate-Toleranz gewährleistet eine robuste Antriebsmarge
• 42 A Dauerstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 0.056 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 236 W ermöglicht einen dauerhaften Leistungsdurchsatz
• Typische Gate-Ladung von 54 nC minimiert die Schaltenergie
• 30-V-Gate-Toleranz gewährleistet eine robuste Antriebsmarge
Anwendungen
• Geeignet für Traktions-Wechselrichter-Leistungsschalter
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandler-Ausgänge
• Einsatz mit Motorantriebssteuerungen in Kfz-Systemen
• Kann zum Schalten industrieller Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Hochleistungsbaugruppen
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandler-Ausgänge
• Einsatz mit Motorantriebssteuerungen in Kfz-Systemen
• Kann zum Schalten industrieller Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Hochleistungsbaugruppen
Welchen thermischen Bereich kann ich beim Einsatz dieses Geräts erwarten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht den Betrieb unter extremen Umgebungsbedingungen und unter Motorhaubenbedingungen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und Kühlung aus?
Das PowerPAK 10x12-Format für die Oberflächenmontage bietet eine flache Grundfläche, die die Wärmeleitfähigkeit von Leiterplatten und dichte Leiterplattenlayouts erleichtert.
Ist dieses Gerät für Automobilprojekte mit Qualifizierungsanforderungen geeignet?
Er erfüllt die AEC-Q101-Anforderungen und ist somit für viele Kfz-Elektronik-Designs anwendbar, die Komponenten in Automobilqualität erfordern.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten beachtet werden?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 30 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise Ausbrüche innerhalb dieses Bereichs begrenzen müssen, um Belastungen zu vermeiden.
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