Vishay SIHK055N60E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 42 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 239-8636
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK055N60E-T1-GE3
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- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Serie E von Vishay ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode. Dieser MOSFET wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schweißen und Motorantriebe verwendet.
Technologie
der Serie E 4. Generation Niedrige effektive Kapazität
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
der Serie E 4. Generation Niedrige effektive Kapazität
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 42 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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