Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 42 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Best.-Nr.:: 239-8635
Herst. Teile-Nr.:: SIHK055N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 42 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:: 239-8635
Herst. Teile-Nr.:: SIHK055N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	42A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	E
	Gehäusegröße	PowerPAK 10 x 12
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.056Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	54nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	236W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie E
	Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.056Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 236W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60E-T1-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 42 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK055N60E-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Automobilsteuerungsumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Umgebungsbereich und wird in einem kompakten oberflächenmontierten Gehäuse angeboten, das für Baugruppen mit hoher Dichte geeignet ist und ein Gleichgewicht zwischen Leistungsaufnahme und Wärmekapazität für industrielle und Fahrzeug-Elektroniksysteme bietet.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 42 A Dauerstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 0.056 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 236 W ermöglicht einen dauerhaften Leistungsdurchsatz
• Typische Gate-Ladung von 54 nC minimiert die Schaltenergie
• 30-V-Gate-Toleranz gewährleistet eine robuste Antriebsmarge

Anwendungen

• Geeignet für Traktions-Wechselrichter-Leistungsschalter
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandler-Ausgänge
• Einsatz mit Motorantriebssteuerungen in Kfz-Systemen
• Kann zum Schalten industrieller Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Hochleistungsbaugruppen

Welchen thermischen Bereich kann ich beim Einsatz dieses Geräts erwarten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht den Betrieb unter extremen Umgebungsbedingungen und unter Motorhaubenbedingungen.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und Kühlung aus?

Das PowerPAK 10x12-Format für die Oberflächenmontage bietet eine flache Grundfläche, die die Wärmeleitfähigkeit von Leiterplatten und dichte Leiterplattenlayouts erleichtert.

Ist dieses Gerät für Automobilprojekte mit Qualifizierungsanforderungen geeignet?

Er erfüllt die AEC-Q101-Anforderungen und ist somit für viele Kfz-Elektronik-Designs anwendbar, die Komponenten in Automobilqualität erfordern.

Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten beachtet werden?

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 30 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise Ausbrüche innerhalb dieses Bereichs begrenzen müssen, um Belastungen zu vermeiden.