Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 33 A 192 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 252-0266
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
7,16 €
(ohne MwSt.)
8,52 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 50 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,16 € |
| 10 - 24 | 6,73 € |
| 25 - 49 | 6,10 € |
| 50 - 99 | 5,72 € |
| 100 + | 5,38 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 252-0266
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.061Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 192W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.061Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 192W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 192 W Verlustleistung – SIHK075N60EF-T1GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleiter, der für anspruchsvolle Schalt- und Leistungssteuerungsumgebungen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem flachen Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für kompakte Baugruppen geeignet ist. Das Gerät ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe kontinuierliche Strombelastbarkeit und eine robuste Spannungsfestigkeit bei beengten Platzverhältnissen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 33 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 0.061 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 192 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 72 nC sorgt für vorhersehbares Schaltverhalten
• Die AEC-Q101-Qualifizierung unterstützt thermische Belastungen auf Automobilniveau
• 33 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 0.061 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 192 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 72 nC sorgt für vorhersehbares Schaltverhalten
• Die AEC-Q101-Qualifizierung unterstützt thermische Belastungen auf Automobilniveau
Anwendungen
• Geeignet für Traktions- und Hochspannungsfahrzeug-Leistungselektronik
• Ideal für Halbbrücken- und Vollbrücken-Schalttopologien
• Einsatz mit isolierten Gate-Treibern in industriellen Wechselrichtern
• Kann für Schaltnetzteile bis zu Hochspannung verwendet werden
• Geeignet für Motorantriebsstufen in Kfz-Systemen
• Ideal für Halbbrücken- und Vollbrücken-Schalttopologien
• Einsatz mit isolierten Gate-Treibern in industriellen Wechselrichtern
• Kann für Schaltnetzteile bis zu Hochspannung verwendet werden
• Geeignet für Motorantriebsstufen in Kfz-Systemen
Welchem Temperaturbereich kann er in rauen Umgebungen standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz bei Niedrigtemperaturanlauf und erhöhten Betriebsbedingungen.
Welches Gehäuseformat wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Das Gerät wird in einem PowerPAK 10x12-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für eine effiziente Wärmeübertragung und eine kompakte Platzierung der Leiterplatte ausgelegt ist.
Wie wirkt sich die Gate-Spannungsbegrenzung auf das Antriebsdesign aus?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, daher sollten Gate-Treiber spezifiziert werden, um innerhalb dieser Grenze zu bleiben, um eine Überlastung des Gates zu verhindern.
Ist es für RoHS-beschränkte Baugruppen geeignet?
Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen und ermöglicht die Einbeziehung in Baugruppen, die die Einhaltung eingeschränkter Stoffe vorschreiben.