Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 95 A 521 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 239-8629
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG026N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
13,91 €
(ohne MwSt.)
16,55 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 495 Einheit(en) mit Versand ab 26. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 13,91 € |
| 5 - 9 | 13,08 € |
| 10 - 24 | 12,06 € |
| 25 - 49 | 11,74 € |
| 50 + | 11,44 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-8629
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG026N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | EF | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.023Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 521W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie EF | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.023Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 521W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 650 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 95 A – SIHG026N60EF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Leistungs-Elektronikumgebungen, insbesondere in Automobil- und Industriesystemen, entwickelt wurde. Es arbeitet als N-Typ-Depletion-Kanal-Gerät in einem Gehäuse mit Durchgangsbohrung, das für Ingenieure geeignet ist, die eine robuste thermische und elektrische Leistung über einen breiten Temperaturbereich benötigen.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 95 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten • 0,023 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • Die Verlustleistung von 521 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Leistung • 63 nC typische Gate-Ladung bietet vorhersehbares Schaltverhalten • 30-V-Gate-Toleranz gewährleistet Kompatibilität mit gängigen Antriebsspannungen
Anwendungen
• Geeignet für Traktionsumrichterstufen in der Antriebselektronik von Fahrzeugen • Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Wird für industrielle Motorantriebsschaltbaugruppen verwendet • Kann für die Hochstrom-DC/DC-Umwandlung in Automatisierungssystemen verwendet werden
Welche Montageart verwendet dieses Gerät und warum ist das wichtig?
Es wird in einem oberflächenmontierten TO-247AC-Gehäuse geliefert, das eine sichere Kühlung und eine einfache Leiterplatten- oder Kühlkörperbefestigung für ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht.
Wie funktioniert das Gerät bei extremen Temperaturen?
Der Transistor ist für den Betrieb von -55 bis +150 °C ausgelegt, was den Einsatz unter rauen Umgebungsbedingungen und in Hochtemperaturgehäusen ermöglicht.
Welche Gate-Antriebsaspekte sollten beachtet werden?
Der maximale Vgs beträgt 30 V
sollten Entwickler sicherstellen, dass Gate-Treiber diesen Wert nicht überschreiten, um eine Überlastung des Gates zu verhindern und eine zuverlässige Schaltung zu gewährleisten.
Welche Norm regelt die Eignung für den Einsatz im Automobilbereich?
Er erfüllt den AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie, was bedeutet, dass er für Kfz-Elektronikanwendungen gemäß dieser Spezifikation qualifiziert ist.
Verwandte Links
- Vishay EF Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Vishay EF Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay EF Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay EF Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay EF Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay EF Typ N-Kanal 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 3-Pin Hip-247