Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 95 A 521 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 239-8628
Herst. Teile-Nr.:: SIHG026N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 95 A 521 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:: 239-8628
Herst. Teile-Nr.:: SIHG026N60EF-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	95A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	EF
	Gehäusegröße	TO-247AC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.023Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63nC
	Maximale Verlustleistung Pd	521W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie EF
	Gehäusegröße TO-247AC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.023Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC
	Maximale Verlustleistung Pd 521W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHG026N60EF-GE3

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 650 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 95 A – SIHG026N60EF-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Leistungs-Elektronikumgebungen, insbesondere in Automobil- und Industriesystemen, entwickelt wurde. Es arbeitet als N-Typ-Depletion-Kanal-Gerät in einem Gehäuse mit Durchgangsbohrung, das für Ingenieure geeignet ist, die eine robuste thermische und elektrische Leistung über einen breiten Temperaturbereich benötigen.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 95 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten • 0,023 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • Die Verlustleistung von 521 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Leistung • 63 nC typische Gate-Ladung bietet vorhersehbares Schaltverhalten • 30-V-Gate-Toleranz gewährleistet Kompatibilität mit gängigen Antriebsspannungen

Anwendungen

• Geeignet für Traktionsumrichterstufen in der Antriebselektronik von Fahrzeugen • Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Wird für industrielle Motorantriebsschaltbaugruppen verwendet • Kann für die Hochstrom-DC/DC-Umwandlung in Automatisierungssystemen verwendet werden

Welche Montageart verwendet dieses Gerät und warum ist das wichtig?

Es wird in einem oberflächenmontierten TO-247AC-Gehäuse geliefert, das eine sichere Kühlung und eine einfache Leiterplatten- oder Kühlkörperbefestigung für ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht.

Wie funktioniert das Gerät bei extremen Temperaturen?

Der Transistor ist für den Betrieb von -55 bis +150 °C ausgelegt, was den Einsatz unter rauen Umgebungsbedingungen und in Hochtemperaturgehäusen ermöglicht.

Welche Gate-Antriebsaspekte sollten beachtet werden?

Der maximale Vgs beträgt 30 V

sollten Entwickler sicherstellen, dass Gate-Treiber diesen Wert nicht überschreiten, um eine Überlastung des Gates zu verhindern und eine zuverlässige Schaltung zu gewährleisten.

Welche Norm regelt die Eignung für den Einsatz im Automobilbereich?

Er erfüllt den AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie, was bedeutet, dass er für Kfz-Elektronikanwendungen gemäß dieser Spezifikation qualifiziert ist.