Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 95 A 521 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
239-8628
Herst. Teile-Nr.:
SIHG026N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

EF

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

521W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Serie EF von Vishay ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode. Dieser MOSFET wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schweißen und Motorantriebe verwendet.

Technologie

der Serie E 4. Generation Niedrige effektive Kapazität

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

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