Vishay SIHB055N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 46 A D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 239-8626
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB055N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
5,366 €
(ohne MwSt.)
6,386 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 50 - 50 | 5,366 € | 268,30 € |
| 100 + | 5,044 € | 252,20 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 239-8626
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB055N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Serie EF von Vishay ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode. Dieser MOSFET wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schweißen und Motorantriebe verwendet.
Technologie der Serie E 4. Generation
Niedrige effektive Kapazität
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Niedrige effektive Kapazität
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 46 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
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