Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 46 A 278 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

211,80 €

(ohne MwSt.)

252,05 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 504,236 €211,80 €
100 +3,981 €199,05 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
239-8626
Herst. Teile-Nr.:
SIHB055N60EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

EF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.05Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Serie EF von Vishay ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode. Dieser MOSFET wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schweißen und Motorantriebe verwendet.

Technologie

der Serie E 4. Generation Niedrige effektive Kapazität

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Verwandte Links