Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 47 A 278 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

112,20 €

(ohne MwSt.)

133,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 700 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 +2,244 €112,20 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
225-9909
Herst. Teile-Nr.:
SIHB053N60E-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

47A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

54mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

92nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.65 mm

Länge

10.67mm

Höhe

15.88mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

Verwandte Links