Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 850 V / 7 A 33 W, 3-Pin SIHA21N80AEF-GE3 TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 239-8625
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA21N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Serie | EF | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.22Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 47nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Serie EF | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.22Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 47nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Serie E von Vishay ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode. Dieser MOSFET wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schweißen und Motorantriebe verwendet.
Geringe Leistungsanzeige
Niedrige effektive Kapazität
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
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