Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 26 A 174 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 239-8632
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHH105N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.091Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 174W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.091Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 174W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 26 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SiHH105N60EF-T1GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in Industrie- und Automobilumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine robuste Hochspannungsschaltung mit moderater Dauerstromkapazität und Gate-Antriebscharakteristik erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 26 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Niedrige Rds(on) von 0.091 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 174 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Die Nenn-Gate-Spannung von 30 V unterstützt gängige Gate-Drive-Schemata
• 26 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Niedrige Rds(on) von 0.091 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 174 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Die Nenn-Gate-Spannung von 30 V unterstützt gängige Gate-Drive-Schemata
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in industriellen Netzteilen
• Ideal für Kfz-Stromversorgungsmodule, die die Anforderungen von AEC-Q101 erfüllen
• Wird für primärseitige Schaltvorgänge in SMPS und Wechselrichtern verwendet
• Kann für Motorantriebs-Halbbrückenstufen in elektrifizierten Systemen verwendet werden
• Geeignet für robuste elektronische Baugruppen, die eine Oberflächenmontage erfordern
• Ideal für Kfz-Stromversorgungsmodule, die die Anforderungen von AEC-Q101 erfüllen
• Wird für primärseitige Schaltvorgänge in SMPS und Wechselrichtern verwendet
• Kann für Motorantriebs-Halbbrückenstufen in elektrifizierten Systemen verwendet werden
• Geeignet für robuste elektronische Baugruppen, die eine Oberflächenmontage erfordern
Welches Befestigungsformat nutzt er für kompakte Baugruppen?
Es wird im PowerPAK 8x8-Format geliefert, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist, um dichte Leiterplatten-Layouts und die thermische Kopplung mit Kupferguss zu ermöglichen.
Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt, sodass er bei entsprechender Kühlung in anspruchsvollen Umgebungs- und erhöhten Anschlussszenarien funktionieren kann.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten beachtet werden?
Das Gerät darf nicht über eine Gate-Source-Spannung von 30 V hinaus betrieben werden, und die typische Gate-Ladung beträgt 33 nC, was die Auswahl von Spitzenantriebsstrom und Treiber informiert.
Ist sie für Qualifizierungsanforderungen im Automobilbereich geeignet?
Das Gerät erfüllt den AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie und eignet sich daher für elektronische Konstruktionen in Fahrzeugqualität, die diese Qualifikation erfordern.