Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 19 A 114 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Best.-Nr.:: 252-0267
Herst. Teile-Nr.:: SIHK185N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 19 A 114 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:: 252-0267
Herst. Teile-Nr.:: SIHK185N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	19A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	PowerPAK 10 x 12
	Serie	E
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.16Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	33nC
	Maximale Verlustleistung Pd	114W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Länge	6.15mm
	Breite	5.15mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12
	Serie E
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC
	Maximale Verlustleistung Pd 114W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Länge 6.15mm
	Breite 5.15mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHK185N60E-T1-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 19 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK185N60E-T1-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Entladungsgerät und ist für einen breiten Umgebungsbereich ausgelegt, wodurch er sich für Industrie- und Automobilanwendungen eignet, bei denen ein robustes Schalten bei hohen Spannungen erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• Die Ablassleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0.16 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 114 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme in kompakten Layouts
• Eine typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergiebudgetlierung
• Die Gate-Toleranz von ±20 V bewahrt die Gate-Integrität bei Steuertransienten

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsstufen
• Ideal für elektronische Steuermodule in der Automobilindustrie, die Komponenten in Automobilqualität erfordern
• Wird für die Front-End-Schaltung von Motorantrieben in industriellen Geräten verwendet
• Kann für Schaltnetzteile in Offline-Wandlern verwendet werden
• Nützlich in Stromverwaltungsschaltkreisen, die anspruchsvolle Oberflächenmontage-Lösungen erfordern

Welchen thermischen Extremen kann er während des Einsatzes standhalten?

Er ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu +150 °C und ist für schwere Umgebungs- und Sperrschwankungen ausgelegt.

Wie ist es für die Leiterplattenmontage verpackt?

Er wird in einem PowerPAK 10x12-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit acht Stiften geliefert, um die Leiterplattenmontage mit niedriger Induktivität zu erleichtern.

Erfüllt es die Qualifikationskriterien für die Automobilindustrie?

Das Gerät entspricht der Automobilnorm AEC-Q101 und ist somit für elektronische Fahrzeugsysteme geeignet.

Welchen Kanal und welche Leitungsart verwendet er?

Der Transistor verwendet einen N-Typ-Kanal und arbeitet für sein Schaltverhalten im Depletion-Modus.