Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 19 A 114 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 252-0268
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt sichern
20 weitere Einheiten hinzufügen, um 6% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
9,50 €
(ohne MwSt.)
11,30 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 2.050 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,75 € | 9,50 € | - |
| 20 - 48 | 4,465 € | 8,93 € | 6% |
| 50 - 98 | 4,03 € | 8,06 € | 15% |
| 100 - 198 | 3,805 € | 7,61 € | 19% |
| 200 + | 3,565 € | 7,13 € | 24% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 252-0268
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 114W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 114W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 19 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK185N60E-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Entladungsgerät und ist für einen breiten Umgebungsbereich ausgelegt, wodurch er sich für Industrie- und Automobilanwendungen eignet, bei denen ein robustes Schalten bei hohen Spannungen erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0.16 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 114 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme in kompakten Layouts
• Eine typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergiebudgetlierung
• Die Gate-Toleranz von ±20 V bewahrt die Gate-Integrität bei Steuertransienten
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0.16 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 114 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme in kompakten Layouts
• Eine typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergiebudgetlierung
• Die Gate-Toleranz von ±20 V bewahrt die Gate-Integrität bei Steuertransienten
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsstufen
• Ideal für elektronische Steuermodule in der Automobilindustrie, die Komponenten in Automobilqualität erfordern
• Wird für die Front-End-Schaltung von Motorantrieben in industriellen Geräten verwendet
• Kann für Schaltnetzteile in Offline-Wandlern verwendet werden
• Nützlich in Stromverwaltungsschaltkreisen, die anspruchsvolle Oberflächenmontage-Lösungen erfordern
• Ideal für elektronische Steuermodule in der Automobilindustrie, die Komponenten in Automobilqualität erfordern
• Wird für die Front-End-Schaltung von Motorantrieben in industriellen Geräten verwendet
• Kann für Schaltnetzteile in Offline-Wandlern verwendet werden
• Nützlich in Stromverwaltungsschaltkreisen, die anspruchsvolle Oberflächenmontage-Lösungen erfordern
Welchen thermischen Extremen kann er während des Einsatzes standhalten?
Er ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu +150 °C und ist für schwere Umgebungs- und Sperrschwankungen ausgelegt.
Wie ist es für die Leiterplattenmontage verpackt?
Er wird in einem PowerPAK 10x12-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit acht Stiften geliefert, um die Leiterplattenmontage mit niedriger Induktivität zu erleichtern.
Erfüllt es die Qualifikationskriterien für die Automobilindustrie?
Das Gerät entspricht der Automobilnorm AEC-Q101 und ist somit für elektronische Fahrzeugsysteme geeignet.
Welchen Kanal und welche Leitungsart verwendet er?
Der Transistor verwendet einen N-Typ-Kanal und arbeitet für sein Schaltverhalten im Depletion-Modus.
Verwandte Links
- Vishay E N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E N-Kanal 4-Pin PowerPAK
- Vishay EF N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay EF N-Kanal 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay EF N-Kanal 4-Pin PowerPAK 8 x 8