Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 19 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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Herst. Teile-Nr.:
SIHK185N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.05mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

132W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15 mm

Länge

6.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden.

E-Serien-Technologie der 4. Generation

Niedrige Ron-Qg-Leistungszahl (FOM)

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste

Avalanche-Energiebewertung (UIS)

Kelvin-Anschluss für reduziertes Gate-Rauschen

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