Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

4.588,00 €

(ohne MwSt.)

5.460,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.000 Einheit(en) mit Versand ab 22. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +2,294 €4.588,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
239-8637
Herst. Teile-Nr.:
SIHK125N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

E

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.11Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

132W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Serie E von Vishay ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode. Dieser MOSFET wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schweißen und Motorantriebe verwendet.

Technologie

der Serie E 4. Generation Niedrige effektive Kapazität

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Verwandte Links